美光科技近日宣布，容量为245TB的Micron 6600 ION NVMe SSD已正式投入市场。

据了解，该SSD采用美光G9 276层3D QLC NAND闪存颗粒，提供U.2与EDSFF E3.L两种外形规格，峰值功耗为30W，约为同等容量机械硬盘部署方案的一半。主要面向人工智能、云计算、企业级及超大规模工作负载场景，可用于下一代AI数据湖、云端文件与对象存储等应用。 

性能参数上，245TB版本6600 ION的顺序读取速率为13.7GB/s，顺序写入速率为3GB/s，随机读取速率为178万IOPS，随机写入速率为4.2万IOPS。写入耐久性方面，纯128KB顺序写入耐久为1.0 SDWPD，16KB粒度随机写入耐久为0.3 RDWPD，4KB粒度随机写入耐久为0.075 RDWPD。