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三星量产64层V-NAND内存 海量高速储存不是梦

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三星宣布已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存,并会将之应用于服务器、PC以及移动设备。三星一直在UFS闪存、SSD硬盘和储存卡方面下了很大的功夫,而基于64层256Gb V-NAND芯片也将在今年晚些时候推出。

为了巩固其在内存市场的竞争优势,三星计划大量生产64层V-NAND芯片,也就是俗称的第四代V-NAND,其产量在年底将达到全部NAND闪存的50%。64层V-NAND芯片的最大优势在于能够达到1Gbps(千兆位/秒)的数据传输速度,这是目前可用的NAND闪存中最快的,其页面编程时间也比典型的10纳米级的平面NAND闪存快约四倍。

与之前的48位256Gb V-NAND相比,新的64层256Gb V-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外,64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压,与使用48层V-NAND的3.3伏相比,能量效率提高了约30%,电池的可靠性也增加了约20%。

容量更大、更快速、更稳定是内存发展的不变趋势,三星作为行业的先驱者,其努力不容忽视,未来的海量高速储存正在向我们招手喽。

 
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