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三星发布全新系列闪存卡,用的是UFS哟

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早前,在三星Galaxy S6发布会上,三星便首次在智能手机上面使用UFS 2.0存储介质。而今天,三星也正式发布了旗下全新的MicroSD卡,其同样采用UFS存储介质,三星号称其拥有5倍于普通存储卡的读写速度,以及数十乃至上百倍于普通SD卡的随机读写性能。

本次发布的新系列MicroSD存储卡提供32、64、128以及256GB版本,连续读取速度最高可达530MB/s,连续最高写入速度可达170MB/s。这一性能甚至可以和2.5英寸的SSD产品相媲美。更重要的是,三星官方表示这款全新的SD卡的随机读取IOPS可以高达40000,随机写入的IOPS可以高达35000,分别是传统SD卡的20倍和350倍。

不过,这款全新的SD卡采用的是全新的接口标准。这款UFS存储卡自然也因此不能兼容传统的SD卡槽,而三星即将发布的Galaxy Note 7则有望成为全球首款支持这种SD卡的设备。

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