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海力士将制造UFS 2.0闪存,可供应所有智能手机制造商

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三星Galaxy S6/S6 Edge上面一个大杀器就是读取和写入速度超快的UFS 2.0存储介质,这一存储介质相对于目前的eMMC 5.0标准在读写速度上提升了不少,用在手机上能够非常有效地提升手机系统和应用的载入速度等方面,而三星是首家大规模生产并商用UFS 2.0的公司,目前配备该存储介质的智能手机也就只有S6/S6 Edge。

不过这一现状很快将会被改变,同样来自韩国的存储芯片制造商SK Hynix(海力士)宣布加入UFS的生产阵营,该公司宣称将会面对“全球掌上市场”发售他们的64GB UFS存储芯片。

海力士的UFS存储最多可以执行每秒32000次的随机读写,这一性能是目前eMMC 5.0存储芯片的3倍,UFS存储芯片具有指令列队以及多线程读写功能,在电脑的SSD上,多线程读写功能使得存储介质可以以更高的效率同时应对读取和写入命令,前者则能够让存储芯片将任务按照优先级排序,提升用户体验并且节省电能。

根据一则消息指出,海力士的UFS存储芯片最早可以于今年登陆高端智能手机和平板电脑,并且也将逐渐地被应用到中低端智能手机上面,并且最终替代eMMC存储介质,截止今年年底,UFS存储介质将会占据总市场的4%,而到2019年,预计可以占据49%的份额。

Source:Korea Herald


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